พิมพ์หน้า
IRFR1205TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFR1205TRPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต38 สัปดาห์
รหัสสินค้า2097996
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001560566
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
4,877 ในสต็อก
2,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
4,877 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB58.200 |
| 10+ | THB27.360 |
| 100+ | THB24.340 |
| 500+ | THB19.030 |
| 1000+ | THB18.650 |
| 5000+ | THB18.270 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB58.20
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFR1205TRPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต38 สัปดาห์
รหัสสินค้า2097996
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001560566
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation107W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRFR1205TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
การใช้งาน
Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ IRFR1205TRPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000491