
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRFL4105PBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with SOT or SOIC other packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
การใช้งาน
Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
3.7A
SOT-223
10V
2.1W
150°C
-
55V
0.045ohm
Surface Mount
4V
3Pins
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
