พิมพ์หน้า
IRFI4410ZPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 43 A, 7900 µohm, TO-220AB, Through Hole
33 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
33 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB101.680 |
| 10+ | THB68.160 |
| 100+ | THB53.850 |
| 500+ | THB47.330 |
| 1000+ | THB45.380 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB101.68
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFI4410ZPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต14 สัปดาห์
รหัสสินค้า2580017
Product RangeHEXFET
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001566742
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source On State Resistance7900µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation47W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ตัวเลือกสำหรับ IRFI4410ZPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
IRFI4410ZPBF is a HEXFET® power MOSFET. Application includes high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 100V min (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Drain-to-source leakage current is 20µA max (VDS = 100V, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Breakdown voltage temp coefficient is 95mV/°C typ (reference to 25°C, ID = 5mA)
- Maximum power dissipation is 47W (TC = 25°C), gate-to-source voltage is ±30V
- Rise time is 27ns typ (VDD = 65V, ID = 26A, RG= 2.7ohm, VGS = 10V)
- Fall time is 30ns typ (VDD = 65V, ID = 26A, RG= 2.7ohm, VGS = 10V)
- TO-220 Full-Pak package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
47W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
7900µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 2 - 1 year
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.003221