พิมพ์หน้า
IRF7351TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF7351TRPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต47 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2725900RL
เทปตัด2725900
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001577392
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
4,318 ในสต็อก
16,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
4,318 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB56.040 | THB280.20 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB280.20 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB56.040 |
| 50+ | THB38.010 |
| 250+ | THB30.310 |
| 1000+ | THB28.220 |
| 2000+ | THB27.040 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF7351TRPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต47 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2725900RL
เทปตัด2725900
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001577392
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0137ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0137ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0137ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0137ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000454