พิมพ์หน้า
IRF7303TRPBFXTMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF7303TRPBFXTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต18 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4236344RL
เทปตัด4236344
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005876271
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
806 ในสต็อก
16,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
806 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB42.650 | THB42.65 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB42.65 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB42.650 |
| 10+ | THB19.830 |
| 100+ | THB17.600 |
| 500+ | THB13.670 |
| 1000+ | THB10.400 |
| 5000+ | THB9.930 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF7303TRPBFXTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต18 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4236344RL
เทปตัด4236344
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005876271
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.05ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSO-8
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.05ohm
Transistor Case Style
SO-8
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00001