IRF7105TRPBF
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB24.350 | THB121.75 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB121.75 | ||
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB24.350 |
| 50+ | THB15.970 |
| 250+ | THB12.380 |
| 1000+ | THB11.200 |
| 2000+ | THB10.250 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF7105TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Complementary N and P Channel
25V
3.5A
0.083ohm
8Pins
2W
-
MSL 1 - Unlimited
25V
3.5A
0.083ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ IRF7105TRPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์