พิมพ์หน้า
IRF6668TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Surface Mount
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF6668TRPBFสำเนา
รหัสสินค้า2579988
Product RangeHEXFET
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001551178
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleDirectFET MZ
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation89W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ตัวเลือกสำหรับ IRF6668TRPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
DirectFET MZ
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000426