
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ตัวเลือกสำหรับ IRF6621TR1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF6621TR1 is a DirectFET™ N-channel Power MOSFET ideal for CPU core DC-to-DC converters. It combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with the advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest ON-state resistance in a package. It is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infrared or convection soldering techniques. It allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%. It balances both low resistance and low charge along with ultra-low package inductance to reduce both conduction and switching losses. The IRF6621 has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operating from 12V bus converters including RDS (ON) and gate charge to minimize losses in the control FET socket. It is optimized for high frequency switching and control FET application.
- Dual-sided cooling compatible
- Low conduction and switching losses
- Compatible with existing surface-mount techniques
การใช้งาน
Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
12A
DirectFET SQ
10V
2.2W
150°C
-
30V
7000µohm
Surface Mount
1.8V
7Pins
-
MSL 3 - 168 hours
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
