พิมพ์หน้า
IRF640NPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF640NPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต31 สัปดาห์
รหัสสินค้า8648379
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001570078
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
47,567 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
30 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
47,537 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB75.510 |
| 10+ | THB39.960 |
| 100+ | THB30.680 |
| 500+ | THB24.130 |
| 1000+ | THB18.660 |
| 5000+ | THB17.900 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB75.51
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF640NPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต31 สัปดาห์
รหัสสินค้า8648379
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001570078
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF640NPBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 200V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 150mohm
- Power dissipation Pd of 150W at 25°C
- Continuous drain current Id of 18A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ตัวเลือกสำหรับ IRF640NPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002041