พิมพ์หน้า
IRF5305PBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF5305PBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า8648255
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001564354
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
4,339 ในสต็อก
4,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
4,339 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB50.410 |
| 10+ | THB37.230 |
| 100+ | THB25.870 |
| 500+ | THB20.540 |
| 1000+ | THB19.350 |
| 5000+ | THB18.970 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB50.41
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF5305PBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า8648255
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001564354
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF5305PBF is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -55V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 60mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 110W at 25°C
- Continuous drain current Id of -31A at Vgs -10V and 25°C
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ IRF5305PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน7
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002654