
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB92.390 |
| 10+ | THB45.360 |
| 100+ | THB38.970 |
| 500+ | THB33.600 |
| 1000+ | THB32.670 |
| 5000+ | THB31.740 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF1407PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
การใช้งาน
Motor Drive & Control, Automotive, Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
130A
TO-220AB
10V
330W
175°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
75V
7800µohm
Through Hole
4V
3Pins
-
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ IRF1407PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
