
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IR21834PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
- Under-voltage lockout for both channels
- 3.3 and 5V Input logic compatible
- Matched propagation delay for both channels
- Logic and power ground ±5V offset
- Lower di/dt gate driver for better noise immunity
- Output source/sink current capability 1.4/1.8A
การใช้งาน
Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
2Channels
High Side and Low Side
14Pins
Through Hole
1.9A
10V
-40°C
180ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
DIP
Inverting, Non-Inverting
2.3A
20V
125°C
220ns
-
No SVHC (08-Jul-2021)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
