
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ตัวเลือกสำหรับ IR2103PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IR2103PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
- Under-voltage lockout
- 3.3, 5 and 15V Logic input compatible
- Cross-conduction prevention logic
- Matched propagation delay for both channels
- Internal set dead-time
- High-side output in phase with HIN input
- Low-side output out of phase with LIN input
การใช้งาน
Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
2Channels
Half Bridge
8Pins
Through Hole
210mA
10V
-40°C
680ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
DIP
Inverting, Non-Inverting
360mA
20V
125°C
150ns
-
No SVHC (17-Jan-2023)
เอกสารทางเทคนิค (4)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
