
240 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB335.260 |
| 5+ | THB263.210 |
| 10+ | THB191.150 |
| 50+ | THB183.930 |
| 100+ | THB176.700 |
| 250+ | THB174.350 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IPW65R070C6 is a 650V CoolMOS™ C6 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
- Easy control of switching behaviour
- Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use
- Better light load efficiency
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Improved power density
- Improved reliability
- General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics, Communications & Networking, Automotive
บันทึก
For MOSFET paralleling the use of ferrite beads on the gate or separate totem poles is generally recommended.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
53.5A
TO-247
10V
391W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
650V
0.063ohm
Through Hole
3V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
