พิมพ์หน้า
IPW60R070CFD7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-247, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPW60R070CFD7XKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต41 สัปดาห์
รหัสสินค้า2807983
Product RangeCoolMOS CFD7
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPW60R070CFD7, SP001617990
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
171 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
171 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB259.670 |
| 10+ | THB154.200 |
| 100+ | THB120.600 |
| 500+ | THB118.190 |
| 1000+ | THB115.780 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB259.67
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPW60R070CFD7XKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต41 สัปดาห์
รหัสสินค้า2807983
Product RangeCoolMOS CFD7
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPW60R070CFD7, SP001617990
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
600V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for soft switching topologies, optimized for phase-shift full-bridge (ZVS), LLC applications-server, telecom, EV charging.
- Ultra-fast body diode
- Low gate charge
- Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
- Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness
- Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss
- Excellent hard commutation ruggedness
- Highest reliability for resonant topologies
- Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
- Enabling increased power density solutions
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
ตัวเลือกสำหรับ IPW60R070CFD7XKSA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.008886