พิมพ์หน้า
IPW60R041P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPW60R041P6FKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า2709899
Product RangeCoolMOS P6
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPW60R041P6, SP001091630
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
161 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
161 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB388.330 |
| 5+ | THB316.450 |
| 10+ | THB244.560 |
| 50+ | THB235.490 |
| 100+ | THB226.420 |
| 250+ | THB202.020 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB388.33
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPW60R041P6FKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า2709899
Product RangeCoolMOS P6
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPW60R041P6, SP001091630
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id77.5A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation481W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
600V CoolMOS™ P6 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Halogen free moulded compound
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
77.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
481W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P6
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ IPW60R041P6FKSA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.018597