พิมพ์หน้า
IPT010N08NM5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, Surface Mount
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB275.560 |
| 10+ | THB149.610 |
| 100+ | THB137.280 |
| 500+ | THB129.620 |
| 1000+ | THB111.960 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB275.56
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPT010N08NM5ATMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า3755144
Product RangeOptiMOS 5
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005560711, IPT010N08NM5
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id425A
Drain Source On State Resistance1050µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
425A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1050µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.004536