พิมพ์หน้า
IPP110N20NAAKSA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPP110N20NAAKSA1สำเนา
รหัสสินค้า2480853
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPP110N20NA, SP000877672
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPP110N20NAAKSA1สำเนา
รหัสสินค้า2480853
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPP110N20NA, SP000877672
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id88A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ตัวเลือกสำหรับ IPP110N20NAAKSA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IPP110N20NA is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to AEC-Q101
การใช้งาน
Industrial, Audio, LED Lighting, Motor Drive & Control, Power Management, Automotive
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
88A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002008