พิมพ์หน้า
IPP052NE7N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPP052NE7N3GXKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต18 สัปดาห์
รหัสสินค้า2480849
Product RangeOptiMOS 3 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPP052NE7N3 G, SP000641726
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
3,162 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
3,162 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB113.050 |
| 10+ | THB71.010 |
| 100+ | THB52.280 |
| 500+ | THB43.080 |
| 1000+ | THB37.880 |
| 5000+ | THB35.590 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB113.05
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPP052NE7N3GXKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต18 สัปดาห์
รหัสสินค้า2480849
Product RangeOptiMOS 3 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPP052NE7N3 G, SP000641726
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance5200µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ตัวเลือกสำหรับ IPP052NE7N3GXKSA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
- Opti MOS™3 power transistor
- Optimized technology for synchronous rectification
- Ideal for high frequency switching and DC/DC converter
- Excellent gate charge x RDC(on) product (FOM)
- Very low on resistance RDS(on), N channel, normal level
- 100% avalanche tested, qualified according to JEDEC for target application
- 75V minimum drain source breakdown voltage (VGS=0V, 1D=1mA, 25°C)
- 5.2mohm maximum drain source on state resistance (VGSS=10V, 1D=80A, 25°C)
- 2.2ohm gate resistance
- PG-TO220-3 package, operating temperature range from -55 to 175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
5200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002008