พิมพ์หน้า
IPP045N10N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPP045N10N3GXKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต34 สัปดาห์
รหัสสินค้า2443404
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPP045N10N3 G, SP000680794
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
245 ในสต็อก
500 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
245 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB138.710 |
| 10+ | THB90.940 |
| 100+ | THB67.880 |
| 500+ | THB56.680 |
| 1000+ | THB52.390 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB138.71
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPP045N10N3GXKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต34 สัปดาห์
รหัสสินค้า2443404
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPP045N10N3 G, SP000680794
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IPP045N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free, Green device
- MSL1 rated 2
การใช้งาน
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ IPP045N10N3GXKSA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.003184