พิมพ์หน้า
IPG20N10S4L35ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPG20N10S4L35ATMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต41 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2725858RL
เทปตัด2725858
Product RangeOptiMOS T2 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPG20N10S4L-35, SP000859022
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
9,519 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
9,519 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB39.320 | THB196.60 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB196.60 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB39.320 |
| 50+ | THB31.430 |
| 250+ | THB25.230 |
| 1000+ | THB23.000 |
| 3000+ | THB19.800 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPG20N10S4L35ATMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต41 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2725858RL
เทปตัด2725858
Product RangeOptiMOS T2 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPG20N10S4L-35, SP000859022
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.029ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.029ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000134