พิมพ์หน้า
IPD70R900P7SAUMA1
Power MOSFET, N Channel, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPD70R900P7SAUMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต41 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2803397RL
เทปตัด2803397
Product RangeCoolMOS P7
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPD70R900P7S, SP001491638
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
680 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
680 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB39.800 | THB39.80 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB39.80 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB39.800 |
| 10+ | THB24.950 |
| 100+ | THB16.350 |
| 500+ | THB12.620 |
| 1000+ | THB10.100 |
| 5000+ | THB9.390 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPD70R900P7SAUMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต41 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2803397RL
เทปตัด2803397
Product RangeCoolMOS P7
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPD70R900P7S, SP001491638
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
700V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and recommended for Flyback topologies for example used in chargers, adapters, lighting applications, etc.
- Extremely low losses due to very low FOM Rds(on)*Qg and Rds(on)*Eoss
- Excellent thermal behaviour
- Integrated ESD protection diode
- Low switching losses (Eoss)
- Qualified for standard grade applications
- Cost competitive technology
- Lower temperature
- High ESD ruggedness
- Enables efficiency gains at higher switching frequencies
- Enables high power density designs and small form factors
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 3 - 168 hours
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000907