พิมพ์หน้า
IPD35N10S3L26ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPD35N10S3L26ATMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต11 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2480829RL
เทปตัด2480829
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPD35N10S3L-26, SP000386184
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
14,855 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
14,068 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
787 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB52.390 | THB261.95 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB261.95 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB52.390 |
| 50+ | THB43.830 |
| 100+ | THB35.270 |
| 500+ | THB22.890 |
| 1000+ | THB21.390 |
| 2000+ | THB20.320 |
| 5000+ | THB19.250 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPD35N10S3L26ATMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต11 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2480829RL
เทปตัด2480829
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPD35N10S3L-26, SP000386184
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ตัวเลือกสำหรับ IPD35N10S3L26ATMA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IPD35N10S3L-26 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
การใช้งาน
Power Management, Lighting, Automotive
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00143