IPB081N06L3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB73.910 |
| 10+ | THB47.030 |
| 100+ | THB31.550 |
| 500+ | THB26.140 |
| 1000+ | THB21.380 |
| 5000+ | THB20.430 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IPB081N06L3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
การใช้งาน
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
50A
TO-263 (D2PAK)
10V
79W
175°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
60V
8100µohm
Surface Mount
1.7V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
ตัวเลือกสำหรับ IPB081N06L3GATMA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์