พิมพ์หน้า
IPA60R190P6XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPA60R190P6XKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต19 สัปดาห์
รหัสสินค้า2420503
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPA60R190P6, SP001017080
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
519 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
519 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB110.190 |
| 10+ | THB71.560 |
| 100+ | THB49.390 |
| 500+ | THB40.990 |
| 1000+ | THB37.960 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB110.19
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPA60R190P6XKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต19 สัปดาห์
รหัสสินค้า2420503
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPA60R190P6, SP001017080
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20.2A
Drain Source On State Resistance0.171ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation34W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IPA60R190P6 is a N-channel power MOSFET with 650VDS drain source voltage. Infineon's CoolMOS™ P6 product family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease of use.
- Reduced gate charge (Qg)
- Higher V th
- Good body diode ruggedness
- Optimized integrated Rg
- Improved dV/dt from 50V/ns
- CoolMOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in Superjunction technology
- Increased MOSFET dV/dt ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM RDS (ON) x Qg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Improved efficiency especially in light load condition
- Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-OFF
การใช้งาน
Power Management, Communications & Networking, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
34W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.171ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ IPA60R190P6XKSA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน6
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.003085