พิมพ์หน้า
IMBG120R350M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG120R350M1HXTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3582467RL
เทปตัด3582467
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG120R350M1H, SP004463802
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,000 ในสต็อก
4,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
1,000 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB200.980 | THB200.98 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB200.98 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB200.980 |
| 10+ | THB119.270 |
| 100+ | THB97.200 |
| 500+ | THB86.330 |
| 1000+ | THB84.610 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG120R350M1HXTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3582467RL
เทปตัด3582467
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG120R350M1H, SP004463802
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation65W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
65W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001637