พิมพ์หน้า
IMBG120R090M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG120R090M1HXTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต47 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3582464RL
เทปตัด3582464
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG120R090M1H, SP004463788
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,849 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1,849 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB280.990 | THB280.99 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB280.99 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB280.990 |
| 10+ | THB198.740 |
| 100+ | THB148.620 |
| 500+ | THB141.890 |
| 1000+ | THB135.150 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG120R090M1HXTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต47 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3582464RL
เทปตัด3582464
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG120R090M1H, SP004463788
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation136W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
136W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001814