พิมพ์หน้า
IMBG120R008M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 189 A, 1.2 kV, 7700 µohm, TO-263HV
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG120R008M2HXTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4376957RL
เทปตัด4376957
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG120R008M2H, SP005752492
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,532 ในสต็อก
2,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
2,532 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB1,258.280 | THB1,258.28 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB1,258.28 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB1,258.280 |
| 5+ | THB1,101.480 |
| 10+ | THB944.670 |
| 50+ | THB925.780 |
| 100+ | THB906.890 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG120R008M2HXTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4376957RL
เทปตัด4376957
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG120R008M2H, SP005752492
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id189A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance7700µohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation800W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
189A
Drain Source On State Resistance
7700µohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
800W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001