พิมพ์หน้า
IGT65R025D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIGT65R025D2XTMA1
รหัสสินค้า4640393
Product RangeCoolGaN G5 Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
1,460 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1460 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB441.090 |
| 5+ | THB343.190 |
| 10+ | THB282.530 |
| 50+ | THB264.980 |
| 100+ | THB250.080 |
| 250+ | THB249.900 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB441.09
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIGT65R025D2XTMA1
รหัสสินค้า4640393
Product RangeCoolGaN G5 Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Case Style
HSOF
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
70A
Typical Gate Charge
11nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00001