พิมพ์หน้า
IGOT60R070D1AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Surface Mount
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
- 600V CoolGaN™ enhancement mode power transistor
- Enhancement mode transistor, normally OFF switch
- Ultra-fast switching
- No reverse recovery charge
- Capable of reverse conduction
- Low gate charge, low output charge, reduces EMI
- Superior commutation ruggedness
- Qualified for industrial applications according to JEDEC standards (JESD47 and JESD22)
- Improves system efficiency and power density
- Enables higher operating frequency, system cost reduction savings
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Case Style
SOIC
Product Range
CoolGaN
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Indonesia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Indonesia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.003361