พิมพ์หน้า
IDM10G120C5XTMA1
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 5G 1200V, Single, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIDM10G120C5XTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2780807RL
เทปตัด2780807
Product RangethinQ 5G 1200V
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIDM10G120C5, SP001127116
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
224 ในสต็อก
10,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
224 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB180.320 | THB180.32 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB180.32 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB180.320 |
| 10+ | THB93.080 |
| 100+ | THB84.690 |
| 500+ | THB83.000 |
| 1000+ | THB81.310 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIDM10G120C5XTMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2780807RL
เทปตัด2780807
Product RangethinQ 5G 1200V
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIDM10G120C5, SP001127116
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Product RangethinQ 5G 1200V
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current38A
Total Capacitive Charge41nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
5th Generation thinQ!™ 1200V SiC Schottky diode suitable for use in solar inverters, uninterruptable power supplies, motor drives and power factor correction. Benefits of using Schottky diode are System efficiency improvement over Si diodes, system cost / size savings due to reduced cooling requirements, enabling higher frequency / increased power density solutions, higher system reliability due to lower operating temperatures and reduced EMI.
- Revolutionary semiconductor material - silicon carbide
- No reverse recovery current / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- Low forward voltage even at high operating temperature
- Tight forward voltage distribution
- Excellent thermal performance
- Extended surge current capability
- Specified dv/dt ruggedness
- Qualified according to JEDEC for target applications
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Product Range
thinQ 5G 1200V
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
41nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
38A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000426