IDDD08G65C6XTMA1
Silicon Carbide Schottky Diode, CoolSiC 6G 650V, Single, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP
1,700 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB110.540 |
| 10+ | THB55.100 |
| 100+ | THB48.680 |
| 500+ | THB47.580 |
| 1000+ | THB47.280 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The CoolSiC™ generation G6 is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes. The G6 is an advancement of Infineon's G5 technology with the introduction of a novel Schottky metal system. The CoolSiC™ Schottky diode G6 has been designed to complement our 600V and 650V CoolMOS™ 7 families, meeting the most stringent application requirements in this voltage range. Offering key benefits such as System cost and size savings due to the reduced cooling requirements as well as enabling higher frequency and increased power density.
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
CoolSiC 6G 650V
650V
12.2nC
10 Pin
Surface Mount
No SVHC (25-Jun-2025)
Single
24A
HDSOP
175°C
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์