พิมพ์หน้า
GS61008PMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGS61008PMRXUSA1สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4715932RL
เทปตัด4715932
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGS61008PMRXUSA1สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4715932RL
เทปตัด4715932
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance9500µohm
Typical Gate Charge8nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins5Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
9500µohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
5Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
90A
Typical Gate Charge
8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001