พิมพ์หน้า
FS33MR12W1M1HB70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFS33MR12W1M1HB70BPSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต35 สัปดาห์
รหัสสินค้า4351790
Product RangeEasyPACK Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อFS33MR12W1M1H_B70, SP005634675
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
32 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
32 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB3,195.060 |
| 5+ | THB3,064.620 |
| 10+ | THB2,934.180 |
| 50+ | THB2,803.740 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB3,195.06
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFS33MR12W1M1HB70BPSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต35 สัปดาห์
รหัสสินค้า4351790
Product RangeEasyPACK Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อFS33MR12W1M1H_B70, SP005634675
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0323ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins23Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
FS33MR12W1M1HB70BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include high-frequency switching applications, DC/DC converters, motor drives, and UPS systems.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low inductive design, low switching losses
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, PressFIT contact technology
- Integrated NTC temperature sensor, AlN substrate with low thermal resistance
- Drain-source leakage current is 0.015µA typ at VDS = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 25A at TH = 120°C, Tvj = 175°C, VGS = 18V
- Repetitive peak drain current is 50A (verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Storage temperature range from -40 to 125°C
- Drain-source on-resistance is 32.3mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 25A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.0323ohm
No. of Pins
23Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK Series
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85044095
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.033566