พิมพ์หน้า
FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF2600UXTR33T2M1BPSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า4574879
Product RangeXHP 2 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB169,473.720 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB169,473.72
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF2600UXTR33T2M1BPSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า4574879
Product RangeXHP 2 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id720A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance3100µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins15Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 is a 3.3KV, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half bridge module. Suitable for traction drives, high-power converters, high-frequency switching application applications.
- Electrical features: VDSS = 3300V, IDN = 750A / IDRM = 1500A, Tvj,op = 175°C
- Low switching losses, high current density, low inductive design
- Mechanical features: high power density, high creepage and clearance distances
- Package with CTI > 600, Rds(on) Test Voltage 15V
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- AlN substrate with low thermal resistance
- 3.1mohm drain-source on-resistance at ID = 750A, VGS = 15V, Tvj = 25°C
- 720A Continuous DC drain current at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 25°C
- 5.55V gate threshold voltage at ID = 675mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C, (after 1ms pulse at VGS = +20V)
- 20mW max power dissipation at TNTC = 25°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
720A
Drain Source On State Resistance
3100µohm
No. of Pins
15Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.55V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
20mW
Product Range
XHP 2 Series
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001