พิมพ์หน้า
FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF1000UXTR23T2M1B5BPSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต28 สัปดาห์
รหัสสินค้า4749213
Product RangeXHP 2 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP006041778 and FF1000UXTR23T2M1_B5
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
3 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
3 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB137,656.220 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB137,656.22
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF1000UXTR23T2M1B5BPSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต28 สัปดาห์
รหัสสินค้า4749213
Product RangeXHP 2 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP006041778 and FF1000UXTR23T2M1_B5
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id1.335kA
Drain Source Voltage Vds2.3kV
Drain Source On State Resistance1190µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins15Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 is an XHP™2 series, 2.3kV, 1000A silicon carbide (SiC) MOSFET half-bridge module. It features Infineon’s advanced .XT interconnection technology for low inductance and reduced switching losses, delivering high efficiency and reliability in demanding power applications. With an on-resistance of approximately 0.95mohm and high thermal performance, it is ideal for renewable energy systems, traction drives, energy storage systems, and industrial motor drives requiring high power density and fast switching performance.
- Continuous drain current (IDN) of 2000A and repetitive peak current (IDRM) of 4000A
- High current density for efficient power handling
- Low inductive design to minimize parasitic effects
- Low switching losses for improved efficiency
- Maximum operating junction temperature (Tvj,op) of 175°C
- AlN substrate offering low thermal resistance
- AlSiC baseplate for excellent thermal cycling capability
- High creepage and clearance distances for enhanced safety
- High CTI (>600) package ensuring superior insulation performance
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
1.335kA
Drain Source On State Resistance
1190µohm
No. of Pins
15Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2.3kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
XHP 2 Series
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001