พิมพ์หน้า
F46MR20W3M1HB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตF46MR20W3M1HB11BPSA1
รหัสสินค้า4680825
Product RangeEasyPACK Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อF4-6MR20W3M1H_B11, SP005975717
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
14 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
14 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB18,427.500 |
| 5+ | THB16,406.210 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB18,427.50
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตF46MR20W3M1HB11BPSA1
รหัสสินค้า4680825
Product RangeEasyPACK Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อF4-6MR20W3M1H_B11, SP005975717
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id135A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance8100µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins50Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
F46MR20W3M1HB11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include EV charging, energy storage systems (ESS), solar applications, and DC/DC converters.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Overload operation up to 175°C
- Integrated NTC temperature sensor, PressFIT contact technology
- Drain-source voltage is 2000V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 135A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 65°C
- Repetitive peak drain current is 320A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 5.1mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 160A
- Total gate charge is 0.78µC typ at VDD = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Drain-source leakage current is 0.04µA typ at VDS = 2000V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
135A
Drain Source On State Resistance
8100µohm
No. of Pins
50Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001