พิมพ์หน้า
AUIRF7769L2TR
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Surface Mount
7,230 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
7,230 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB237.450 | THB1,187.25 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB1,187.25 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB237.450 |
| 50+ | THB191.810 |
| 250+ | THB191.650 |
| 1000+ | THB191.490 |
| 2000+ | THB187.660 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตAUIRF7769L2TRสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2579961RL
เทปตัด2579961
Product RangeHEXFET
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001522786
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id124A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StyleDirectFET L8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins15Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
- Automotive grade Directed® power MOSFET
- Advanced process technology
- Optimized for automotive motor drive, DC-DC and other heavy load applications
- Exceptionally small footprint and low profile
- High power density
- Low parasitic parameters
- Dual sided cooling
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
124A
Transistor Case Style
DirectFET L8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
15Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000454