
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB58.480 | THB58.48 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB58.48 | ||
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB58.480 |
| 10+ | THB40.030 |
| 50+ | THB38.220 |
| 100+ | THB36.410 |
| 250+ | THB34.240 |
| 500+ | THB33.010 |
| 1000+ | THB32.850 |
| 2500+ | THB30.600 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
2EP130RXTMA1 is an EiceDRIVER™ power full-bridge transformer driver for IGBT and SiC MOSFET gate driver supply. It is a open loop full-bridge transformer driver for designing isolated gate driver supplies for a wide variety of switch technologies (IGBTs, SiC MOSFETs, GaN HEMTs, and others). It is optimized to supply gate drivers for a variety of switches such as TRENCHSTOP™ IGBTs, OptiMOS™ MOSFETs, CoolMOS™ superjunction MOSFETs, CoolGaN™ high electron mobility transistors, and CoolSiC™ MOSFETs together with EiceDRIVER™ gate driver ICs, and other similar products. Potential applications include Industrial motor drives - compact, standard, premium, servo drives, solar inverters, UPS and energy storage systems, welding, commercial air-conditioning, high-voltage DC-DC converters and DC-AC inverters, isolated switch-mode power supplies, power meters.
- Wide input supply range: from 4.5V to 20V
- Supports up to 5W output power supplies
- Wide frequency range: from 50kHz to 695kHz with an internal oscillator or external clock
- Adjustable overcurrent threshold, short circuit protection for power outputs
- Overtemperature protection, ready output to indicate normal operation
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Rise time is 15ns typical at VVDD = 15V, CLOAD = 1nF, VOUT from 10% to 90%
- Fall time is 15ns typical at VVDD = 15V, CLOAD = 1nF, VOUT from 90% to 10%
- PG-TSSOP-8-1 package
- Operating ambient temperature range from -40 to 125°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
2Channels
Full Bridge
8Pins
Surface Mount
-
4.5V
-40°C
280ns
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Isolated
GaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
TSSOP
Logic
10mA
20V
125°C
280ns
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
