พิมพ์หน้า
1ED2127S65FXUMA1
Gate Driver, 1 Channels, Non-Isolated, High Side, IGBT, SiC MOSFET, 8 Pins, SOIC
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต1ED2127S65FXUMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต49 สัปดาห์
รหัสสินค้า4695797
เป็นที่รู้จักกันในชื่อ1ED2127S65F, SP005826769
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,488 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,488 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB50.680 |
| 10+ | THB34.260 |
| 50+ | THB32.430 |
| 100+ | THB30.590 |
| 250+ | THB28.840 |
| 500+ | THB27.800 |
| 1000+ | THB27.650 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB50.68
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต1ED2127S65FXUMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต49 สัปดาห์
รหัสสินค้า4695797
เป็นที่รู้จักกันในชื่อ1ED2127S65F, SP005826769
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
No. of Channels1Channels
Gate Driver TypeNon-Isolated
Driver ConfigurationHigh Side
Power Switch TypeIGBT, SiC MOSFET
No. of Pins8Pins
IC Case / PackageSOIC
IC MountingSurface Mount
Input TypeLogic
Source Current4A
Sink Current-4A
Supply Voltage Min9.2V
Supply Voltage Max22V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay55ns
Output Delay55ns
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
1ED2127S65FXUMA1 is a 1ED21x7x family 650V high-side gate driver with overcurrent protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD). The over-current protection and under-voltage lockout circuit detects over-current / under-voltage in the driven power transistor and terminates the gate drive voltage. An open-drain FAULT signal is provided to indicate that an over-current shutdown has occurred. Potential applications include motor drives, general purpose inverters, Forklift, and light electric vehicles.
- Infineon thin-film-SOI-technology
- Integrated ultra-fast, low RDS(ON) bootstrap diode
- Negative VS transient immunity of 100V
- Detection of overcurrent and under voltage supply
- Multi-function RCIN/fault/enable (RFE) with programmable fault clear time
- High-side floating well supply offset voltage is 650V max at TA =25°C
- VCC quiescent supply current is 400µA max at (VCC– COM) = (VB – VS) = 15V and TA = 25°C
- IGBT / SiC MOSFET target transistor
- PG-DSO-8 package
- Ambient temperature range from -40 to 125°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
No. of Channels
1Channels
Driver Configuration
High Side
No. of Pins
8Pins
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
4A
Supply Voltage Min
9.2V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
55ns
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Driver Type
Non-Isolated
Power Switch Type
IGBT, SiC MOSFET
IC Case / Package
SOIC
Input Type
Logic
Sink Current
-4A
Supply Voltage Max
22V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
55ns
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001