พิมพ์หน้า
SDP8406-003
Phototransistor, 50 °, 100 mW, 2 Pins, Radial Leaded
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกสำหรับ SDP8406-003
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SDP8406-003 is a Silicon NPN Phototransistor moulded in side-looking clear plastic package. The chip is positioned to accept radiation through a plastic lens from the side of the package.
- 50° Acceptance angle (nominal)
- Wide sensitivity ranges
- Mechanically and spectrally matched to SEP8506 and SEP8706 infrared emitting diodes
การใช้งาน
Sensing & Instrumentation
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Wavelength Typ
-
Power Consumption
100mW
Product Range
-
Viewing Angle
50°
No. of Pins
2Pins
Automotive Qualification Standard
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0001