พิมพ์หน้า
G3R60MT07K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตGENESIC
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตG3R60MT07Kสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต20 สัปดาห์
รหัสสินค้า4218049
Product RangeG3R Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
700 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
700 จัดส่งใน 4-5 วันทำการ(สหรัฐอเมริกา สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB349.570 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB349.57
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตGENESIC
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตG3R60MT07Kสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต20 สัปดาห์
รหัสสินค้า4218049
Product RangeG3R Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation127W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R Series
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
G3R60MT07K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET in a 4 pin TO-247 package. Typical applications include solar (PV) inverters, server & telecom power supplies, Uninterruptible Power Supplies (UPS), EV / HEV charging, DC-DC converters, Switched Mode Power Supplies (SMPS), energy storage and battery charging and Class D amplifiers.
- G3R™ Technology for enhanced performance and reliability
- Softer RDS(ON) v/s temperature dependency for stable operation
- LoRing™ – Electromagnetically optimized design for reduced EMI
- Smaller RG(INT) and lower Qg for efficient switching
- Low device capacitances for faster response
- Superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR
- 100% avalanche (UIL) tested
- Low conduction losses at all temperatures, reduced ringing
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
127W
Product Range
G3R Series
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0062