พิมพ์หน้า
FDU8580
MOSFET, N, I-PAK
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDU8580สำเนา
รหัสสินค้า1324815
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation49.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
49.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002