พิมพ์หน้า
FDC6320C.
MOSFET, NP
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDC6320C.
รหัสสินค้า1611645
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDC6320C.
รหัสสินค้า1611645
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Drain Source On State Resistance P Channel13ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel900mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance P Channel
13ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
900mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0001