พิมพ์หน้า
ZXMS6004DN8-13
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตZXMS6004DN8-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต12 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน4318546
ม้วนตัดแบ่ง3127508RL
เทปตัด3127508
Product RangeIntelliFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 12 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB31.710 | THB158.55 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB158.55 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB31.710 |
| 50+ | THB27.610 |
| 100+ | THB23.500 |
| 500+ | THB20.330 |
| 1000+ | THB19.550 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 2500+ | THB15.580 |
| 7500+ | THB15.270 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตZXMS6004DN8-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต12 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน4318546
ม้วนตัดแบ่ง3127508RL
เทปตัด3127508
Product RangeIntelliFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel1.2A
Continuous Drain Current Id P Channel1.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.35ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.35ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.21W
Power Dissipation P Channel1.21W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeIntelliFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.35ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.21W
Product Range
IntelliFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.35ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.21W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000074