พิมพ์หน้า
ZXM61P03F
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตZXM61P03Fสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง9525300RL
เทปตัด9525300
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
7,809 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
7,809 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB17.500 | THB87.50 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB87.50 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB17.500 |
| 50+ | THB11.570 |
| 100+ | THB8.170 |
| 500+ | THB6.580 |
| 1500+ | THB5.640 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตZXM61P03Fสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง9525300RL
เทปตัด9525300
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
ZXM61P03F is a P-channel enhancement mode MOSFET. It utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes it ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. Typical applications include DC - DC converters, power management functions, disconnect switches and motor control.
- Low on-resistance, fast switching speed
- Low gate drive, low threshold
- Drain-source voltage is -30V
- Gate-source voltage is ±20V
- Continuous drain current is -1.1A at TA=+25°C, VGS=-10V
- Drain-source breakdown voltage is -30V min at ID=-250µA, VGS=0V, Tamb = 25°C
- Gate-source threshold voltage is -1.0V min at ID=-250µA, VDS= VGS, Tamb = 25°C
- Static drain-source on-state resistance is 0.35ohm max at VGS=-10V, ID=-0.6A, Tamb = 25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000033