พิมพ์หน้า
ZVN2110A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตZVN2110Aสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า9525440
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
4,607 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
4,607 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB50.700 |
| 10+ | THB31.880 |
| 100+ | THB21.010 |
| 500+ | THB20.590 |
| 1000+ | THB20.170 |
| 5000+ | THB19.750 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB50.70
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตZVN2110Aสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า9525440
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id320mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
ZVN2110A is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 100V
- Continuous drain current at Tamb=25° is 320mA
- Pulsed drain current is 6A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 700mW
- Drain-source breakdown voltage is 100V min at ID=1mA, VGS=0V, Tamb=25°C
- Static drain-source on-state resistance is 4ohm max at VGS=10V, ID=1A, Tamb=25°C
- Turn-off delay time is 13ns max at VDD ≈25V, ID=1A, Tamb=25°C
- E-Line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
320mA
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000166