พิมพ์หน้า
DMN3008SFG-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 62 A, 3900 µohm, PowerDI 3333, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMN3008SFG-7สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3943570RL
เทปตัด3943570
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
10 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
10 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB51.120 | THB51.12 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB51.12 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB51.120 |
| 10+ | THB27.140 |
| 100+ | THB21.010 |
| 500+ | THB17.740 |
| 1000+ | THB11.720 |
| 5000+ | THB11.490 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMN3008SFG-7สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3943570RL
เทปตัด3943570
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance3900µohm
Transistor Case StylePowerDI 3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation900mW
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
DMN3008SFG-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET in an 8 pin PowerDI3333 package. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions and DC-DC converters.
- Dain-source voltage is 30V
- Gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 150A
- Total power dissipation is 0.9W(TA = +25°C)
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Static drain-source on-resistance is 5.5mohm(VGS = 4.5V, ID = 13.5A)
- Low RDS(ON) ensures on-state losses are minimized
- Small, form factor thermally efficient package enables higher density end products
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
Transistor Case Style
PowerDI 3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001