พิมพ์หน้า
DMHC4035LSDQ-13
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHC4035LSDQ-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944081RL
เทปตัด3944081
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB66.640 | THB66.64 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB66.64 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB66.640 |
| 10+ | THB37.320 |
| 100+ | THB27.730 |
| 500+ | THB22.830 |
| 1000+ | THB17.930 |
| 5000+ | THB17.580 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHC4035LSDQ-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944081RL
เทปตัด3944081
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.065ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
DMHC4035LSDQ-13 is a 40V complementary enhancement mode MOSFET H-bridge features 2 N and 2 P channels in an SO-8 package. Qualified to AEC-Q101 the H bridge is ideally suited to driving solenoids, DC motors and audio outputs.
- Drain-source voltage is 40V, gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 25A
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- PPAP capable
- Total power dissipation is 5W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.065ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001