พิมพ์หน้า
DMHC10H170SFJ-13
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.16 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHC10H170SFJ-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944078RL
เทปตัด3944078
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,341 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,341 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB70.310 | THB70.31 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB70.31 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB70.310 |
| 10+ | THB33.660 |
| 100+ | THB29.760 |
| 500+ | THB27.900 |
| 1000+ | THB26.030 |
| 5000+ | THB24.160 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHC10H170SFJ-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944078RL
เทปตัด3944078
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel2.9A
Continuous Drain Current Id P Channel2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.16ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.25ohm
Transistor Case StyleVDFN5045
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.25ohm
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.16ohm
Transistor Case Style
VDFN5045
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001